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PSMN4R1-30YLC,115

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	92A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.95V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.502 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	67W (Tc)
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall	SC-100, SOT-669

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 9773

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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