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SI7682DP-T1-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1595 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 27.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Fall	PowerPAK® SO-8

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