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Hersteller-Teilenummer: | IRL2203NSPBF |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK |
Datenblätter: | IRL2203NSPBF Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | HEXFET® |
Paket | Bulk |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 116A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.29 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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