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Hersteller-Teilenummer: | IPI80P04P407AKSA1 |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3 |
Datenblätter: | IPI80P04P407AKSA1 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Paket | Tube |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6085 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 88W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3-1 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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