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IRFHM8334TRPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	13A (Ta), 43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1180 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.7W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Paket / Fall	8-PowerVDFN

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2773

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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