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STMicroelectronics / STFW6N120K3

STFW6N120K3

Hersteller-Teilenummer: STFW6N120K3
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
Datenblätter: STFW6N120K3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieSuperMESH3™
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs34 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1050 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)63W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketISOWATT-218FX
Paket / FallISOWATT218FX
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