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IXFK20N80Q

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HiPerFET™
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5100 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	360W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-264AA (IXFK)
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA

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