Das Bild dient als Referenz, bitte kontaktieren Sie uns, um das echte Bild zu erhalten

TK7J90E,S1E

Hersteller-Teilenummer:	TK7J90E,S1E
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Datenblätter:	TK7J90E,S1E Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMERKUNG: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK7J90E,S1E ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.

Alle Elektronikkomponenten werden durch ESD-Antistatikschutz sehr sicher verpackt.

package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	π-MOSVIII
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P(N)
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 12

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

Beliebte Modelle

	TK7J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.