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Vishay / Siliconix / SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Hersteller-Teilenummer: SQJQ100EL-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Datenblätter: SQJQ100EL-T1_GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs220 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14500 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® 8 x 8
Paket / Fall8-PowerTDFN
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Lagerbestand: 1970

Minimum: 1

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