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IRF7473PBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3.18 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 611

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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