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TK40S10K3Z(T6L1,NQ

Hersteller-Teilenummer:	TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
Datenblätter:	TK40S10K3Z(T6L1,NQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ANMERKUNG: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40S10K3Z(T6L1,NQ ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	U-MOSIV
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3110 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	93W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK+
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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