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NXP Semiconductors / PHD55N03LTA,118

PHD55N03LTA,118

Hersteller-Teilenummer: PHD55N03LTA,118
Hersteller: NXP Semiconductors
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 55A DPAK
Datenblätter: PHD55N03LTA,118 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieTrenchMOS™
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs20 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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PHD55N03LTA,118

NXP Semiconductors

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