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Hersteller-Teilenummer: | IPB65R045C7ATMA1 |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK |
Datenblätter: | IPB65R045C7ATMA1 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | CoolMOS™ C7 |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Discontinued at Digi-Key |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 46A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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