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EPC2012C

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	eGaN®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	1.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Die Outline (4-Solder Bar)
Paket / Fall	Die

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