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IXTA08N50D2

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	800mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	12.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	312 pF @ 25 V
FET-Funktion	Depletion Mode
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (IXTA)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1342950

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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