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RW1C015UNT2R

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	400mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-WEMT
Paket / Fall	SOT-563, SOT-666

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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