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LSIC1MO170E1000

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 1000 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	54W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3L
Paket / Fall	TO-247-3

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