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AUIRLR3114ZTRL

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	56 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3810 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-PAK (TO-252AA)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 21381

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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