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IRF7946TR1PBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	212 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6852 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	96W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DIRECTFET™ MX
Paket / Fall	DirectFET™ Isometric MX

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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