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IRF7805APBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	31 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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