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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 2SK3700(F)

2SK3700(F)

Hersteller-Teilenummer: 2SK3700(F)
Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie*
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs28 nC @ 10 V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P(N)
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
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