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GA100JT17-227

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 100A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14400 pF @ 800 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	535W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-227
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC

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