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NTE2378

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bag
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 20 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	120W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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