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FQD8P10TF

Hersteller-Teilenummer:	FQD8P10TF
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	QFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-Pak
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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