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SI5857DU-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	LITTLE FOOT®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 10 V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® ChipFet Dual
Paket / Fall	PowerPAK® ChipFET™ Dual

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