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Renesas Electronics America / 2SK1775-E

2SK1775-E

Hersteller-Teilenummer: 2SK1775-E
Hersteller: Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Datenblätter: 2SK1775-E Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs-
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1730 pF @ 10 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)60W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
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