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IR (Infineon Technologies) / BSO080P03SNTMA1

BSO080P03SNTMA1

Hersteller-Teilenummer: BSO080P03SNTMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Datenblätter: BSO080P03SNTMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusObsolete
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs136 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5890 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.79W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-DSO-8
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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