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IRF7521D1PBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	FETKY™
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	260 pF @ 15 V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Micro8™
Paket / Fall	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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