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IR (Infineon Technologies) / IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

Hersteller-Teilenummer: IPB011N04NGATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Datenblätter: IPB011N04NGATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs250 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20000 pF @ 20 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)250W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TO263-7-3
Paket / FallTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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