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IRFS59N10DTRLP

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	114 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO263-3-2
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 590

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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