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Rochester Electronics / IRFIZ48NPBF

IRFIZ48NPBF

Hersteller-Teilenummer: IRFIZ48NPBF
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: HEXFET POWER MOSFET
Datenblätter: IRFIZ48NPBF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHEXFET®
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs89 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1.9 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)54W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 8155

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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