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RQ3E120BNTB

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-HSMT (3.2x3)
Paket / Fall	8-PowerVDFN

KAUFOPTIONEN

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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