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RS1E200BNTB

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-HSOP
Paket / Fall	8-PowerTDFN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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