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IRF1010NL

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3210 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-262
Paket / Fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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