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NXP Semiconductors / PHB38N02LT,118

PHB38N02LT,118

Hersteller-Teilenummer: PHB38N02LT,118
Hersteller: NXP Semiconductors
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Datenblätter: PHB38N02LT,118 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieTrenchMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.44.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs15.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 20 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)57.6W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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