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NTD4857NA-1G

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	12A (Ta), 78A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.96 pF @ 12 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-PAK
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 5700

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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