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IPB45N04S4L08ATMA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	OptiMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 17µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2.34 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO263-3-2
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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