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IRL1104STRLPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	104A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	68 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3445 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.4W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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