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PHM25NQ10T,518

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	30.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	26.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 20 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-HVSON (6x5)
Paket / Fall	8-VDFN Exposed Pad

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Beliebte Modelle

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