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SCTH90N65G2V-7

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 400 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	H2PAK-7
Paket / Fall	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 873

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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