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IR (Infineon Technologies) / IPP147N12N3GXKSA1

IPP147N12N3GXKSA1

Hersteller-Teilenummer: IPP147N12N3GXKSA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Datenblätter: IPP147N12N3GXKSA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTube
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.56A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.7mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 61µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs49 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3220 pF @ 60 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)107W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO220-3
Paket / FallTO-220-3
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