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STMicroelectronics / STI33N60M6

STI33N60M6

Hersteller-Teilenummer: STI33N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMDmesh™ M6
PaketTube
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs33.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)190W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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