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IPU06N03LB G

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	OptiMOS™
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO251-3
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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