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NTD3817N-1G

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	16 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	702 pF @ 12 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-PAK
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 14400

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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