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APT10035B2LLG

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	POWER MOS 7®
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5185 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	690W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	T-MAX™ [B2]
Paket / Fall	TO-247-3 Variant

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