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IRF9510S

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.7W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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