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BUK9Y19-55B/C2,115

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	46A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.992 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall	SC-100, SOT-669

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