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IR (Infineon Technologies) / BSC0503NSIATMA1

BSC0503NSIATMA1

Hersteller-Teilenummer: BSC0503NSIATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Datenblätter: BSC0503NSIATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Ta), 88A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 15 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-6
Paket / Fall8-PowerTDFN
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Lagerbestand: 1878

Minimum: 1

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