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STMicroelectronics / STP80N10F7

STP80N10F7

Hersteller-Teilenummer: STP80N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Datenblätter: STP80N10F7 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
PaketTube
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs45 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 50 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)110W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 570

Minimum: 1

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