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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQI7N10TU

FQI7N10TU

Hersteller-Teilenummer: FQI7N10TU
Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Datenblätter: FQI7N10TU Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieQFET®
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.75W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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